東北大学、メモリ業界に革命を起こす新素材「テルル化ニオブ」を発見！　消費電力が2桁減 [323057825]

東北大学の研究グループは、産業技術総合研究所や慶應義塾大学とともに、相変化メモリ（PCRAM）の電力消費を大幅に抑え、高速動作や高温環境での使用を可能にする相変化材料として、二次元層状物質の「テルル化ニオブ（NbTe4）」を発見した。

動作エネルギーは約2桁削減、データ書き換え時間は30ナノ秒
　東北大学の研究グループは2023年7月、産業技術総合研究所や慶應義塾大学とともに、相変化メモリ（PCRAM）の電力消費を大幅に抑え、高速動作や高温環境での使用を可能にする相変化材料として、二次元層状物質の「テルル化ニオブ（NbTe4）」を発見したと発表した。

　現行のPCRAMは、相変化材料として「GeSb-Te化合物（GST）」を用いている。データの書き換えが数十ナノ秒と速く、耐久性にも優れているからだ。
一方で、GSTは「結晶化温度が約160℃と低く、高温環境でPCRAMの利用が制限される」「融点が高く、相変化させる時に多くの電力を消費する」などの課題もあった。

全文はソース元で
相変化メモリ向け新材料「テルル化ニオブ」を発見
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2307/10/news039.html